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Fiche Technique Détaillée du Module IGBT TPM150GB120RN
Le composant électronique de puissance référencé TPM150GB120RN se classe parmi les solutions majeures pour la commutation de fortes charges électriques. Ce module IGBT associe la simplicité de commande d'un transistor à effet de champ à la forte capacité de courant d'un transistor bipolaire.
Paramètres d'Exploitation Recommandés
Les données ci-dessous définissent les limites d'utilisation pour une intégration sécurisée dans vos schémas électriques :
| Paramètre Électrique | Valeur Maximale |
|---|---|
| Tension Émetteur-Collecteur (Vces) | 1200 V |
| Courant Collecteur Permanent (Ic) | 150 A |
| Tension Commande Grille (Vges) | +/- 20 V |
| Température de Jonction (Tj) | -40 à +150 °C |
Optimisation des Systèmes Triphasés
Ce module trouve sa place idéale dans les redresseurs, les hacheurs et les alimentations sans interruption (ASI). Sa structure interne bi-module simplifie le câblage des ponts onduleurs triphasés, réduisant le temps d'assemblage en usine et optimisant le routage des busbars de puissance.
